法国AnnealsysDLI-CVD直接液体注入式化学气相沉积设备-8英寸MC-200

• Simple and multi-metallic oxides
• 单金属氧化物、多金属氧化物
•  2D materials: graphene, h-BN, TMD
• 2D材料：石墨烯, h-BN, TMD
•  Metals nitrides and other materials
• 金属氮化物和其它材料
•  Capability to evaporate low vapor pressure precursors
• 可蒸发低气压前驱源
•  Perfect stoichiometry control of multi-metallic oxides
• 多金属氧化物化学计量完美控制
•  Multi-process capabilities: CVD, ALD, RTP, RTCVD
• 多重工艺能力：CVD, ALD, RTP, RTCVD
•  Cluster like system in a single reactor with MC-050
• 单反应腔配备MC-050的类枚页式设备
• 沉积材料举例：BaO,  Y₂O₃,  Cr₂O₃,  TiO₂,  Al₂O₃,  HfO₂,  Li₂O,  Bi₂O₃, Co₃O₄, CuCrO₂, SiO₂,  Li_xNb_yO_z, La_xNi_yO_z, Mo_vCr_wFe_xBi_yO_z, TiN,  AlN,  Pt, MoS₂ …

MC-200规格：

•MC-200设备是一台直径100mm，满足研发需求的DLI-CVD/DLI-ALD反

应器。

•工艺腔室的双重配置可在同一个腔室实现CVD和ALD工艺。

•直接液体注入雾化器（DLI）完美控制前驱源流量并可兼容低气压前驱源和稀释化的前驱源。

•前驱源气流的快速开关和旁路阀可以很好的控制纳米层压材料的沉积。

•电容等离子源选项提供PE-CVD和PE-ALD能力，可降低沉积温度。

•经过优化的自动液体管路配置面板可大范围的减少化学前驱源的消耗。

•无死区的管路设计提供完美的管路清洁能力，便于反应物的更换和手套箱中前驱源的二次装填。

应用：

•单一和多金属氧化物

•金属，氮化物和合金

•III-V族化合物半导体

•宽禁带半导体