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    更多产品信息详见官网:www.longsun.asia 
     

    Direct Liquid Injection Deposition Systems

    The most efficient technology for deposition of new materials

    直接液体注入式沉积设备

    *具效率的新材料沉积技术

    Semiconductor, micro batteries, BAW and SAW filters,
    TMDs, energy harvesting, …

    半导体、微电池、BAWSAW过滤器,TMDs,能量收集

    Chemical Vapor Deposition & Atomic Layer Deposition in the same system

    在同一设备中实现化学气相沉积&原子层沉积

    • Simple and multi-metallic oxides
    • 单金属氧化物、多金属氧化物
    •  2D materials: graphene, h-BN, TMD
    • 2D材料:石墨烯, h-BN, TMD
    •  Metals nitrides and other materials
    • 金属氮化物和其它材料
    •  Capability to evaporate low vapor pressure precursors
    • 可蒸发低气压前驱源
    •  Perfect stoichiometry control of multi-metallic oxides
    • 多金属氧化物化学计量完美控制
    •  Multi-process capabilities: CVD, ALD, RTP, RTCVD
    • 多重工艺能力:CVD, ALD, RTP, RTCVD
    •  Cluster like system in a single reactor with MC-050
    • 单反应腔配备MC-050的类枚页式设备
    • 沉积材料举例:BaO,  Y2O3,  Cr2O3,  TiO2,  Al2O3,  HfO2,  Li2O,  Bi2O3, Co3O4, CuCrO2, SiO2,  LixNbyOz, LaxNiyOz, MovCrwFexBiyOz, TiN,  AlN,  Pt, MoS2

    MC-200规格:

    MC-200设备是一台直径100mm,满足研发需求的DLI-CVD/DLI-ALD

    应器。

    •工艺腔室的双重配置可在同一个腔室实现CVDALD工艺。

    •直接液体注入雾化器(DLI)完美控制前驱源流量并可兼容低气压前驱源和稀释化的前驱源。

    •前驱源气流的快速开关和旁路阀可以很好的控制纳米层压材料的沉积。

    •电容等离子源选项提供PE-CVDPE-ALD能力,可降低沉积温度。

    •经过优化的自动液体管路配置面板可大范围的减少化学前驱源的消耗。

    •无死区的管路设计提供完美的管路清洁能力,便于反应物的更换和手套箱中前驱源的二次装填。

    应用:

    •单一和多金属氧化物

    •金属,氮化物和合金

    III-V族化合物半导体

    •宽禁带半导体

    •纳米碳管和纳米线等等
     
      DLI-CVD&DLI-ALD
    工艺 DLI-CVD, DLI-ALD, MOCVD, RTP, RTCVD
    指标特点 MC-050 MC-100 MC-200
    *大衬底直径 2” 4” 8”
    温度范围 *高可达1100°C 旋转加热基片托,温度可达 800°C 旋转加热基片托,温度可达 800°C
    腔室 不锈钢热控腔室 不锈钢热控腔室 不锈钢热控腔室
    基片托 -- 垂直运动的基片托 垂直运动的基片托
    温度控制 快速数字PID 快速数字PID 快速数字PID
    *多工艺气体管路(MFC 8 8 8
    *多直接液体喷射雾化器数量 6 4 4
    应用 氧化物,金属,氮化物和合金,III-V,宽带隙半导体,2D3D材料…… 氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线…… 氧化物,金属,氮化物和合金,过渡金属氮化物, ,III-V,宽带隙半导体,纳米管和纳米线……
    选项 手套箱接口和手套箱, 远程等离子体, 臭氧发生器, 鼓泡器,高温计温度控制,低真空泵,高真空泵 低真空泵,分子泵,机械化真空装填装载,ALD 电容等离子体,低真空泵,分子泵,机械化真空装填装载,ALD
    可沉积材料 氧化物: Al2O3, BaO, Bi2O3, Co3O4, Cr2O3, CuCrO2, HfO2,
    Li2O, SiO2, TiO2, Y2O3, MovCrwFexBiyOz, …
    氮化物: TiN, AlN
    金属: Pt……

    更多产品信息详见官网:www.longsun.asia

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