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详细信息
更多信息详见www.longsun.asia一、设备描述
快速退火炉又名RTP设备,此设备为型号AS-One系列,分为可以处理4"基片的AS-ONE100以及处理6"基片的AS-ONE150,更小的基片可使用基片托。主要用于大学,研究实验室以及年产量高达10000晶圆的小规模生产。
尺寸:AS-0NE100/AS-ONE150:530*800*1425mm
标配热电偶与高温计测量温度。在温度范围内,通过快速数字PID温度控制器,可获知精确的,可重复的热控制。
类似蛤蜊壳的外形设计,翻盖操作,便于取放基片,以及腔室的清洗。
二、型号介绍不锈钢水冷壁腔室壁真空快速退火炉(快速热处理炉)
具有4英寸(100 mm) 和 6英寸 (150 mm) 两种版本
三、性能和特征
- 可处理4-inch 及以下和 6-inch 及以下的晶圆
- 可适用大范围类型的基片:硅和化合物半导体晶圆,GaN /蓝宝石和碳化硅晶圆,多晶硅晶圆,玻璃,金属,高分子聚合物,石墨和碳化硅托盘等等。
- 设备应用具有:硒化、硫化、接触退火,注入退火,RTO (快速热氧化) ,RTN (快速热氮化) ,硅平滑,扩散,致密化和结晶化,石墨烯CVD,碳纳米管等。
- 不锈钢水冷腔壁技术,高工艺复现性,超洁净及无污染环境
- 高冷却速率,低记忆效应
- 具有真空能力,可选配分子泵
- 温度控制:高温计和热电偶控制+快速数字PID温度控制器
- 边缘高温计视口,确保用于化合物半导体和小型样品
- 基片托的温度控制
四、快速退火炉的具体参数
- 温度范围: 室温至1250°C(AS-One100)、室温至1450°C(AS-One100HT)、室温至1200°C(AS-One150)、室温至1300°C(AS-One150HT)、
- 升温速率:可达200°C/s(AS-One100),可达150°C/s(AS-One150)
- 特殊配置下冷却速率达 100°C/s(选配快速冷却装置)
- 可配5条带质量流量控制器(MFC)的工艺气路
- 标配一条吹扫气路
- 具有真空能力,配备干泵,可选配分子泵
指标特点 AS-One 100 AS-One 150 腔室材质 不锈钢水冷壁腔室 不锈钢水冷壁腔室 *大衬底直径 100mm(4”) 150mm(6”) 温度范围(标准)
温度范围(高温版本)RT to 1250°C
RT to 1450°CRT to 1200°C
RT to 1300°C温度重复性 ± 1°C ± 1°C 升温速率 0.1°C to 200°C/s 0.1°C to 150°C/s 灯数量/*大功率 12 / 30 kW 18 / 34 kW 温度控制 快速数字PID 快速数字PID 工艺气体管路 5 5 真空范围Roughing
真空范围Turbo10-3 Torr
10-6 Torr10-3 Torr
10-6 Torr应用 注入退火、欧姆接触退火(III-V and SiC)、Si碳化、RTO、RTN、致密和结晶、硒化、石墨烯CVD…… 装片方式 手动 手动